K4T51163QI-HCE7
الوصف:
ذاكرة الوصول العشوائي DDR2 SDRAM بسعة 512 ميجابايت
الفئة:
رقاقة دارة متكاملة
In-stock:
في المخزون
طريقة الدفع او السداد:
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
Shipping Method:
LCL ، AIR ، FCL ، Express
المواصفات
طَرد ::
بغا
فئة المنتج ::
أشباه الموصلات - الدوائر المتكاملة - الدوائر المتكاملة
الصانع ::
سامسونج أشباه الموصلات
مقدمة
K4T51163QI-HCE7من شركة سامسونج للشاشات نصف الموصلات هي أجهزة نصف الموصلات للدوائر المتكاملةإذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
أرسل RFQ
الأسهم:
In Stock
الـ MOQ: