MRF6V13250HSR5
الوصف:
FET RF 120V 1.3 جيجا هرتز NI780S
الفئة:
الدائرة المتكاملة TI
In-stock:
في المخزون
طريقة الدفع او السداد:
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
Shipping Method:
LCL ، AIR ، FCL ، Express
المواصفات
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات FETs، MOSFETs، RF FETs، MOSFETs
حالة المنتج:
قديمة
نوع التثبيت:
جبل الهيكل
الجهد - تقييمه:
120 فولت
الحزمة:
الشريط والفكرة (TR)
السلسلة:
-
الرقم الضوضاء:
-
حزمة أجهزة المورد:
NI-780S
الجهد - اختبار:
50 فولت
مفر:
NXP USA Inc.
التكرار:
1.3 جيجاهرتز
يكسب:
22.7 ديسيبل
الحزمة / الحقيبة:
NI-780S
الاختبار الحالي:
100 مللي أمبير
مخرج قوي:
250 واط
التكنولوجيا:
LDMOS
التصنيف الحالي (أمبير):
-
رقم المنتج الأساسي:
MRF6
مقدمة
RF Mosfet 50 V 100 mA 1.3GHz 22.7dB 250W NI-780S
أرسل RFQ
الأسهم:
In Stock
الـ MOQ: