BLF7G27LS-100,118
الوصف:
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B
الفئة:
الدائرة المتكاملة TI
In-stock:
في المخزون
طريقة الدفع او السداد:
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
Shipping Method:
LCL ، AIR ، FCL ، Express
المواصفات
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات FETs، MOSFETs، RF FETs، MOSFETs
حالة المنتج:
قديمة
نوع التثبيت:
جبل الهيكل
الجهد - تقييمه:
65 فولت
الحزمة:
الشريط والفكرة (TR)
السلسلة:
-
الرقم الضوضاء:
-
حزمة أجهزة المورد:
SOT502B
الجهد - اختبار:
28 فولت
مفر:
Ampleon USA Inc.
التكرار:
2.5 جيجا هرتز ~ 2.7 جيجا هرتز
يكسب:
18 ديسيبل
الحزمة / الحقيبة:
سوت-502ب
الاختبار الحالي:
900 مللي أمبير
مخرج قوي:
20 واط
التكنولوجيا:
LDMOS
التصنيف الحالي (أمبير):
28 أ
رقم المنتج الأساسي:
بي إل إف7
مقدمة
RF Mosfet 28 V 900 mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 18dB 20W SOT502B
أرسل RFQ
الأسهم:
In Stock
الـ MOQ: