إم دي إس جي إن-750 إي إل إم في
الوصف:
تران، جان، 1030/1090 ميجا هرتز، 750 واط،
الفئة:
الدائرة المتكاملة TI
In-stock:
في المخزون
طريقة الدفع او السداد:
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
Shipping Method:
LCL ، AIR ، FCL ، Express
المواصفات
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات FETs، MOSFETs، RF FETs، MOSFETs
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل السطح
الجهد - تقييمه:
150 فولت
الحزمة:
الحمولة
السلسلة:
-
الرقم الضوضاء:
-
حزمة أجهزة المورد:
55-KR
الجهد - اختبار:
50 فولت
مفر:
تقنية الرقائق الدقيقة
التكرار:
1.03 جيجا هرتز ~ 1.09 جيجا هرتز
يكسب:
19.1 ديسيبل
الحزمة / الحقيبة:
55-KR
الاختبار الحالي:
100 مللي أمبير
مخرج قوي:
800 واط
التكنولوجيا:
هيمت
التصنيف الحالي (أمبير):
-
مقدمة
RF Mosfet 50 فولت 100 مللي أمبير 1.03 جيجا هرتز ~ 1.09 جيجا هرتز 19.1 ديسيبل 800 واط 55-KR
أرسل RFQ
الأسهم:
In Stock
الـ MOQ: