BLF7G10LS-250،118
الوصف:
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B
الفئة:
الدائرة المتكاملة TI
In-stock:
في المخزون
طريقة الدفع او السداد:
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
Shipping Method:
LCL ، AIR ، FCL ، Express
المواصفات
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات FETs، MOSFETs، RF FETs، MOSFETs
حالة المنتج:
قديمة
نوع التثبيت:
جبل الهيكل
الجهد - تقييمه:
65 فولت
الحزمة:
الشريط والفكرة (TR)
شريط قطع (CT)
ديجي ريل®
السلسلة:
-
الرقم الضوضاء:
-
حزمة أجهزة المورد:
SOT502B
الجهد - اختبار:
30 فولت
مفر:
Ampleon USA Inc.
التكرار:
920 ميجا هرتز ~ 960 ميجا هرتز
يكسب:
19.5 ديسيبل
الحزمة / الحقيبة:
سوت-502ب
الاختبار الحالي:
1.8 أ
مخرج قوي:
60 واط
التكنولوجيا:
LDMOS
التصنيف الحالي (أمبير):
-
رقم المنتج الأساسي:
بي إل إف7
مقدمة
RF Mosfet 30 فولت 1.8 أمبير 920 ميجا هرتز ~ 960 ميجا هرتز 19.5dB 60 واط SOT502B
أرسل RFQ
الأسهم:
In Stock
الـ MOQ: