PDTD123EK،115
الوصف:
ترانس بريبياس NPN 250 ميجاوات SMT3
الفئة:
الدائرة المتكاملة TI
In-stock:
في المخزون
طريقة الدفع او السداد:
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
Shipping Method:
LCL ، AIR ، FCL ، Express
المواصفات
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات ثنائية القطب (BJT) الترانزستورات الثنائية القطبية الأحا
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى):
500 مللي أمبير
حالة المنتج:
قديمة
نوع الترانزستور:
NPN - منحازة مسبقًا
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الشريط والفكرة (TR)
السلسلة:
-
Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic:
300 مللي فولت @ 2.5 مللي أمبير ، 50 مللي أمبير
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
50 فولت
حزمة أجهزة المورد:
SMT3; سمت3؛ MPAK MPAK
المقاوم - القاعدة (R1):
2.2 كيلو أوم
مفر:
NXP USA Inc.
المقاوم - قاعدة الباعث (R2):
2.2 كيلو أوم
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
500nA
أقصى القوة:
250 ميغاواط
الحزمة / الحقيبة:
TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3
الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce:
40 @ 50 مللي أمبير، 5 فولت
رقم المنتج الأساسي:
PDTD123
مقدمة
ترانزستور ثنائي القطب المتحيز مسبقًا (BJT) NPN - 50 V 500 mA 250 mW متجه مسبقًا SMT3؛ MPAK
أرسل RFQ
الأسهم:
In Stock
الـ MOQ: