FZ750R65KE3NOSA1
الوصف:
IGBT وزارة الدفاع 6500V 750A A-IHV190-6
الفئة:
الدائرة المتكاملة TI
In-stock:
في المخزون
طريقة الدفع او السداد:
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
Shipping Method:
LCL ، AIR ، FCL ، Express
المواصفات
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات IGBTs وحدات IGBT
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى):
750 أ
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل الهيكل
الحزمة:
الصندوق
السلسلة:
-
الحزمة / الحقيبة:
وحدة
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic:
3.4 فولت @ 15 فولت، 750 أمبير
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
6500 فولت
حزمة أجهزة المورد:
وحدة
مفر:
تقنيات إنفينيون
درجة حرارة العمل:
-50 درجة مئوية ~ 125 درجة مئوية
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
5 مللي أمبير
نوع IGBT:
-
أقصى القوة:
14500 واط
المدخلات:
المعيار
سعة الإدخال (Cies) @ Vce:
205 نانو فهرنهايت @ 25 فولت
إعدادات:
العازب
NTC الثرمستور:
لا..
رقم المنتج الأساسي:
FZ750R65
مقدمة
وحدة IGBT الوحيدة 6500 فولت 750 A 14500 واط وحدة تركيب الهيكل
أرسل RFQ
الأسهم:
In Stock
الـ MOQ: