FF200R12KE3HOSA1
الوصف:
وحدة IGBT 1200 فولت 1050 وات
الفئة:
الدائرة المتكاملة TI
In-stock:
في المخزون
طريقة الدفع او السداد:
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
Shipping Method:
LCL ، AIR ، FCL ، Express
المواصفات
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات IGBTs وحدات IGBT
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
5 مللي أمبير
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل الهيكل
الحزمة:
الصندوق
السلسلة:
-
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic:
2.15 فولت @ 15 فولت، 200 أمبير
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
1200 فولت
حزمة أجهزة المورد:
وحدة
مفر:
تقنيات إنفينيون
درجة حرارة العمل:
-40 درجة مئوية ~ 125 درجة مئوية
أقصى القوة:
1050 واط
نوع IGBT:
-
الحزمة / الحقيبة:
وحدة
المدخلات:
المعيار
سعة الإدخال (Cies) @ Vce:
14 نانو فاراد @ 25 فولت
إعدادات:
2 مستقل
NTC الثرمستور:
نعم..
رقم المنتج الأساسي:
FF200R12
مقدمة
وحدة IGBT 2 وحدة تركيب الهيكل المستقلة 1200 V 1050 W
أرسل RFQ
الأسهم:
In Stock
الـ MOQ: