MG50P12E1A
الوصف:
الترانزستورات - IGBTs - الوحدات E1
الفئة:
الدائرة المتكاملة TI
In-stock:
في المخزون
طريقة الدفع او السداد:
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
Shipping Method:
LCL ، AIR ، FCL ، Express
المواصفات
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات IGBTs وحدات IGBT
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى):
50 أ
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل الهيكل
الحزمة:
الحمولة
السلسلة:
-
الحزمة / الحقيبة:
وحدة
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic:
2.3 فولت @ 15 فولت، 25 أمبير
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
1200 فولت
حزمة أجهزة المورد:
-
مفر:
تكنولوجيا يانججي
درجة حرارة العمل:
-40 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (TJ)
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
1 mA
نوع IGBT:
-
أقصى القوة:
166 واط
المدخلات:
مقوم جسر ثلاثي الطور
سعة الإدخال (Cies) @ Vce:
1.6 نانو فاراد @ 25 فولت
إعدادات:
ثلاث مراحل العاكس مع الفرامل
NTC الثرمستور:
نعم..
مقدمة
وحدة IGBT عاكس ثلاثي المراحل مع الفرامل 1200 فولت 50 A 166 واط
أرسل RFQ
الأسهم:
In Stock
الـ MOQ: