MG150HF12TLC2
الوصف:
الترانزستورات - IGBTs - الوحدات C2
الفئة:
الدائرة المتكاملة TI
In-stock:
في المخزون
طريقة الدفع او السداد:
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
Shipping Method:
LCL ، AIR ، FCL ، Express
المواصفات
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات IGBTs وحدات IGBT
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى):
150 أ
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل الهيكل
الحزمة:
الحمولة
السلسلة:
-
الحزمة / الحقيبة:
وحدة
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic:
2.05 فولت @ 15 فولت، 150 أمبير
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
1200 فولت
حزمة أجهزة المورد:
-
مفر:
تكنولوجيا يانججي
درجة حرارة العمل:
-40 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (TJ)
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
1 mA
نوع IGBT:
خندق
أقصى القوة:
833 وات
المدخلات:
المعيار
سعة الإدخال (Cies) @ Vce:
11 نانو فاراد @ 25 فولت
إعدادات:
مفتاح واحد
NTC الثرمستور:
لا..
مقدمة
وحدة IGBT خندق مفاتيح واحدة 1200 فولت 150 A 833 واط
أرسل RFQ
الأسهم:
In Stock
الـ MOQ: