FZ1200R12HP4HOSA2
الوصف:
IGBT وزارة الدفاع 1200V 1790A 7150W
الفئة:
الدائرة المتكاملة TI
In-stock:
في المخزون
طريقة الدفع او السداد:
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
Shipping Method:
LCL ، AIR ، FCL ، Express
المواصفات
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات IGBTs وحدات IGBT
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى):
1790 أ
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل الهيكل
الحزمة:
الصندوق
السلسلة:
إهم-ب
الحزمة / الحقيبة:
وحدة
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic:
2.05 فولت @ 15 فولت، 1200 أمبير
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
1200 فولت
حزمة أجهزة المورد:
وحدة
مفر:
تقنيات إنفينيون
درجة حرارة العمل:
-40 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
5 مللي أمبير
نوع IGBT:
خندق
أقصى القوة:
7150 واط
المدخلات:
المعيار
سعة الإدخال (Cies) @ Vce:
74 نانو فهرنهايت @ 25 فولت
إعدادات:
مفتاح واحد
NTC الثرمستور:
لا..
رقم المنتج الأساسي:
FZ1200
مقدمة
وحدة IGBT خندق مفاتيح واحدة 1200 فولت 1790 A 7150 واط وحدة تركيب الهيكل
أرسل RFQ
الأسهم:
In Stock
الـ MOQ: